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210N4LF7中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

210N4LF7
廠商型號(hào)

210N4LF7

功能描述

Automotive N-channel 40 V, 1.35 m typ., 120 A, STripFETTM F7 Power MOSFET in a PowerFLATTM 5x6 package

文件大小

583.82 Kbytes

頁面數(shù)量

16

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
STMICROELECTRONICS
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-2 19:36:00

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210N4LF7規(guī)格書詳情

特性 Features

? AEC-Q101 qualified

? Among the lowest RDS(on) on the market

? Excellent FoM (figure of merit)

? Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity

? High avalanche ruggedness

? Wettable flank package

描述 Description

This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET F7 technology with an enhanced

trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also reducing

internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

Applications

? Switching applications

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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