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20N06中文資料翊歐數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

20N06
廠商型號

20N06

功能描述

60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

絲印標識

20N06

封裝外殼

TO-252

文件大小

1.3482 Mbytes

頁面數(shù)量

6

生產(chǎn)廠商

EVVOSEMI

中文名稱

翊歐

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時間

2025-9-6 12:21:00

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20N06規(guī)格書詳情

General Description

The 20N06 uses advanced trench technology and design to

provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be

used in a wide variety of applications.

特性 Features

VDS = 60V,ID =20A

RDS(ON),23mΩ(Typ) @ VGS =10V

RDS(ON),29mΩ(Typ) @ VGS =4.5V

Advanced Trench Technology

Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge

Lead free product is acquired

Application

Load Switch

PWM Application

Power management

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
UMW/廣東友臺半導體
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