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200N55F3	文件：483.88 Kbytes Page：11 Pages	型號(hào)：STH200N55F3-2；Package：H2PAK；N-channel 55 V, 1.8 mΩ, 160 A, H2PAK STripFET? III Power MOSFET Features ■Ultralowon-resistance ■100avalanchetested Application ■Switchingapplications Description ThisSTripFET?IIIPowerMOSFETtechnologyis amongthelatestimprovements,whichhavebeen especiallytailoredtominimizeon-stateresistance providingsuperiorswitchingperf	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS
200N55F3	文件：491.83 Kbytes Page：12 Pages	型號(hào)：STV200N55F3；Package：PowerSO-10；N-channel 55 V, 1.8 m?, 200 A, PowerSO-10 STripFET? Power MOSFET Description Thisn-channelenhancementmodePower MOSFETisthelatestrefinementofST’s STripFET?process.Theresultingtransistor showsextremelyhighpackingdensityforlowon resistance,ruggedavalanchecharacteristicsand lowgatecharge. Features ■Conductionlossesreduced ■	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)	STMICROELECTRONICS

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型號(hào)：STH200N55F3-2；Package：H2PAK；N-channel 55 V, 1.8 mΩ, 160 A, H2PAK STripFET? III Power MOSFET

Features ■Ultralowon-resistance ■100avalanchetested Application ■Switchingapplications Description ThisSTripFET?IIIPowerMOSFETtechnologyis amongthelatestimprovements,whichhavebeen especiallytailoredtominimizeon-stateresistance providingsuperiorswitchingperf

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意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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200N55F3

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型號(hào)：STV200N55F3；Package：PowerSO-10；N-channel 55 V, 1.8 m?, 200 A, PowerSO-10 STripFET? Power MOSFET

Description Thisn-channelenhancementmodePower MOSFETisthelatestrefinementofST’s STripFET?process.Theresultingtransistor showsextremelyhighpackingdensityforlowon resistance,ruggedavalanchecharacteristicsand lowgatecharge. Features ■Conductionlossesreduced ■

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
200N55F3
功能描述：
MOSFET N-channel 55 V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
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