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1S2076A

HIGH SPEED SWITCHING DIODE

PRV:70Volts Io:150mA FEATURES: *SiliconEpitaxialPlanarDiode *Highreliability *Lowreversecurrent *Lowforwardvoltagedrop *Highspeedswitching *Pb/RoHSFree

EIC

EIC discrete Semiconductors

1S2076A

SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE

REVERSEVOLTAGE:60V CURRENT:0.15A FEATURES Siliconepitaxialplanardiode Highspeedswitchingdiode 500mWpowerdissipation Weight:0.004ounces,0.13grams MECHANICALDATA Case:DO-35,glasscase Polarity:Colorbanddenotescathode

KISEMICONDUCTOR

Kwang Myoung I.S. CO.,LTD

1S2092

SILICON EPTAXIAL PLANAR TYPE

SiliconEptaxialPlanarTypeDiode GENERALPURPOSEDETECTORANDRECTIFIERAPPLICATIONS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

1S2093

SILICON PLANAR TYPE TRIGGER DIODE

SiliconPlanarTypeTriggerDiode THYRISTOR,TRIACTRIGGERAPPLICATIONS.

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

1S2094

VARIABLE CAPACITANCE DIODE

SiliconEpitaxialPlanarType VARIABLECAPACITANCEDIODE UHF,VHFAFCAPPLICATIONS.

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

1S2095A

SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE DIODE

ULTRAHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATIONS. COREDRIVEAPPLICATIONS.

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

1S2207

VARACTOR DIODE

DESCRIPTIONThe152207(8B)iahyper-abruptunctiontypsvoltage: varisblecapacitancediode. Itisdesignedforlectronictuningcicuitapplicationsin VHEandUHFbandsandfeatureshighO,highcapaci- tanceratioandhighreliability. FEATURES -HighQ. -Highcapacitanceratio. -L

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

1S2208

SILICON VARACTOR DIODES

DESCRIPTIONThe152208(8)and152200(B)areahyper-abruptjunction typevoltage-variablecapacitancediodes. ‘The152208(8)and15220(8)aredesignedforelectronic tuningcircuitapplicationinUHFandVHF. FEATURES -Lowseriesresistance.0,352TYP. -Highcapacitanceratio, -Lowle

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

1S2236

SILICON EPITAXIAL PLANAR TYPE VARIABLE CAPACITANCE DIODE

AFCAPPLICATIONFORFMRECEIVER. FEATURES: ?HighQ:Q=70(Min.)(f=50MHz) ?LowReverseCurrent:IR=100nA(Max.)(VR=4V)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

1S2460

GENERAL PURPOSE RECTIFIER APPLICATIONS.

GENERALPURPOSERECTIFIERAPPLICATIONS

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

技術(shù)參數(shù)

  • VRRM(V)：

    35

  • VR(V)：

    30

  • IFSM(A)：

    0.6

  • VF(V)：

    0.8

  • IR (μA)：

    0.1

  • TRR(NS)：

    8.0

  • PACKAGE：

    DO-35

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
群鑫
22+
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30804
原裝正品 一級代理
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5600
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5
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更多1S2供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 9:31:00

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