1N5819U數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單規(guī)格書(shū)PDF
| 廠商型號(hào) |
1N5819U |
| 參數(shù)屬性 | 1N5819U 封裝/外殼為DO-213AB，MELF（玻璃）；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單；產(chǎn)品描述：SCHOTTKY |
| 功能描述 | 航空航天45 V功率肖特基整流器 |
| 封裝外殼 | DO-213AB，MELF（玻璃） |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體 意法半導(dǎo)體集團(tuán) |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-7 16:20:00 |
| 人工找貨 | 1N5819U價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
1N5819U規(guī)格書(shū)詳情
描述 Description
The 1N5819U Schottky diode is ESCC qualified. It is housed in a surface mount hermetically sealed ceramic LCC-2B package whose footprint is fully compatible with industry standard as D5B.
Its full planar technology allows superior performances and high reliability up to 150?°C junction temperature.
This diode is ESCC qualified, which makes it eligible for use in space programs. It is typically used in switching mode power supplies, high frequency DC-to-DC converters or low voltage step-down chopper drive to perform secondary rectification, redundancy OR-Ing,?free wheeling diode or reverse polarity protection.
特性 Features
? Low forward voltage drop: VF = 0.49 V at 1 A and +25 °C
? Very small conduction losses
? Ultrafast switchings with negligible losses
? High thermal conductivity materials
? Surface mount hermetic package
? Radiation performance
?150 krad (Si) low dose rate
?3 Mrad (Si) high dose rate
? ESCC qualified: detail specification 5106/021
技術(shù)參數(shù)
- 制造商編號(hào)
：1N5819U
- 生產(chǎn)廠家
：ST
- Radiation Level
：150 krad (Si) LDR
- Agency Qualification
：ESCC
- Agency Generic Spec
：5106/021
- EPPL
：true
- Hi-Rel Package
：LCC-2B
- Other Features
：Schottky
- Repetitive Peak Reverse Voltage_max(V)
：45
- Forward Current_max(A)
：1
- VF_max(V)
：0.45
- Temperature range
：-65 to 175 C
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MSC |
42 |
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詢價(jià) | ||||
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