1N5817G分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
1N5817G |
參數(shù)屬性 | 1N5817G 封裝/外殼為DO-204AL,DO-41,軸向;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單;產(chǎn)品描述:DIODE SCHOTTKY 20V 1A AXIAL |
功能描述 | Axial Lead Rectifiers SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS 1.0 AMPERE 20, 30 and 40 VOLTS |
封裝外殼 | DO-204AL,DO-41,軸向 |
文件大小 |
249.43 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
9 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ONSEMI |
中文名稱 | 安森美半導體 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-8-10 12:00:00 |
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1N5817G規(guī)格書詳情
1N5817G屬于分立半導體產(chǎn)品的二極管-整流器-單。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的1N5817G二極管 - 整流器 - 單單整流器二極管系列產(chǎn)品可用于讓電流僅沿一個方向流動,并且每個器件封裝都恰好實現(xiàn)該功能的一個實例。其他用途的二極管(包括齊納二極管和可變電容二極管)單獨列在各自的產(chǎn)品系列中,每個器件封裝中包含多個二極管的產(chǎn)品也是如此。
This series employs the Schottky Barrier principle in a large area
metal?to?silicon power diode. State?of?the?art geometry features
chrome barrier metal, epitaxial construction with oxide passivation
and metal overlap contact. Ideally suited for use as rectifiers in
low?voltage, high?frequency inverters, free wheeling diodes, and
polarity protection diodes.
特性 Features
? Extremely Low VF
? Low Stored Charge, Majority Carrier Conduction
? Low Power Loss/High Efficiency
? These are Pb?Free Devices*
Mechanical Characteristics:
? Case: Epoxy, Molded
? Weight: 0.4 Gram (Approximately)
? Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal
Leads are Readily Solderable
? Lead Temperature for Soldering Purposes:
260°C Max for 10 Seconds
? Polarity: Cathode Indicated by Polarity Band
? ESD Ratings: Machine Model = C (>400 V)
Human Body Model = 3B (>8000 V)
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
1N5817G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 二極管類型:
肖特基
- 電流 - 平均整流 (Io):
1A
- 速度:
快速恢復 =< 500ns,> 200mA(Io)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
DO-204AL,DO-41,軸向
- 供應商器件封裝:
軸向
- 工作溫度 - 結:
-65°C ~ 125°C
- 描述:
DIODE SCHOTTKY 20V 1A AXIAL
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
2511 |
標準封裝 |
8000 |
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三年內(nèi) |
1983 |
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ONSemiconductor |
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