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1N5804US分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單規(guī)格書PDF中文資料

1N5804US
廠商型號(hào)

1N5804US

參數(shù)屬性

1N5804US 封裝/外殼為SQ-MELF;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單;產(chǎn)品描述:DIODE GEN PURP 100V 1.1A

功能描述

Superfast Recovery Diodes Surface Mount (US)
DIODE GEN PURP 100V 1.1A

封裝外殼

SQ-MELF

文件大小

110.72 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商

SEMTECH

中文名稱

升特

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-13 18:25:00

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1N5804US規(guī)格書詳情

1N5804US屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單。由升特制造生產(chǎn)的1N5804US二極管 - 整流器 - 單單整流器二極管系列產(chǎn)品可用于讓電流僅沿一個(gè)方向流動(dòng),并且每個(gè)器件封裝都恰好實(shí)現(xiàn)該功能的一個(gè)實(shí)例。其他用途的二極管(包括齊納二極管和可變電容二極管)單獨(dú)列在各自的產(chǎn)品系列中,每個(gè)器件封裝中包含多個(gè)二極管的產(chǎn)品也是如此。

特性 Features

? Very low reverse recovery time

? Hermetically sealed non-cavity construction

? Soft, non-snap, off recovery characteristics

? Very low forward voltage drop

VR 50 -150 V

IF 1N5802US to 1N5806US = 2.5A

trr 1N5802US to 1N5806US = 25nS

IR 1N5802US to 1N5806US = 1μA

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    1N5804US

  • 制造商:

    Semtech Corporation

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 包裝:

    散裝

  • 二極管類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 電流 - 平均整流 (Io):

    1.1A

  • 速度:

    快速恢復(fù) =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同?Vr、F 時(shí)電容:

    25pF @ 5V,1MHz

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    SQ-MELF

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 100V 1.1A

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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