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1ED2127S65F中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

1ED2127S65F
廠商型號(hào)

1ED2127S65F

功能描述

650 V high-side gate driver with over current protection (OCP), multi-function RCIN/Fault/Enable (RFE) and integrated bootstrap diode (BSD)

文件大小

678.92 Kbytes

頁面數(shù)量

21

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

INFINEON英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
INFINEON
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-5 11:37:00

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1ED2127S65F規(guī)格書詳情

特性 Features

? Infineon thin-film-SOI-technology

? Maximum blocking voltage +650 V

? Output source/sink current +4 A/ -4 A

? Maximum supply voltage of 25 V

? Integrated ultra-fast, low RDS(ON) Bootstrap Diode

? Negative VS transient immunity of 100 V

? Detection of over current and under voltage supply

? Multi-function RCIN/Fault/Enable (RFE) with

programmable fault clear time

? Less than 100 ns propagation delay

? DSO-8 package

? RoHS compliant

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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