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12M1H014

型號：IMW120R014M1H；Package：PG-TO247-3-STD-N2.5；CoolSiC??1200 V SiC Trench MOSFET : silicon carbide MOSFET

Features ?VDSS=1200VatTvj=25°C ?IDCC=127AatTvj=25°C ?RDS(on)=14mΩatVGS=18V,Tvj=25°C ?Verylowswitchinglosses ?Shortcircuitwithstandtime3μs ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V ?Robustagainstparasiticturnon,0Vturn-offgatevoltagec

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

12M1H014

型號：IMZA120R014M1H；Package：PG-TO247-4-STD-T3.7；CoolSiC??1200 V SiC Trench MOSFET : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

Features ?VDSS=1200VatTvj=25°C ?IDCC=127AatTvj=25°C ?RDS(on)=14mΩatVGS=18V,Tvj=25°C ?Verylowswitchinglosses ?Shortcircuitwithstandtime3μs ?Benchmarkgatethresholdvoltage,VGS(th)=4.2V ?Robustagainstparasiticturnon,0Vturn-offgatevoltagec

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多12M1H014供應(yīng)商 更新時間2025-7-29 16:20:00

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