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0912GN-15EP數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF

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廠商型號(hào)

0912GN-15EP

參數(shù)屬性

0912GN-15EP 封裝/外殼為模塊;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:PALLET, GAN, 960-1215 MHZ, 15W,

功能描述

RF/Microwave GaN on SiC Power Devices, Pallets and Modules
PALLET, GAN, 960-1215 MHZ, 15W,

封裝外殼

模塊

制造商

Microchip Microchip Technology

中文名稱

微芯科技 微芯科技股份有限公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-19 16:31:00

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0912GN-15EP規(guī)格書詳情

描述 Description

Key Features960-1215MHz15W Pulsed Output Power128us, 10% PulsingCommon SourceClass AB50VDD Bias Voltage>60% Efficiency18.1 dB Typical Power Gain0.2 dB Typical Excellent Gain FlatnessExtremely Compact Size General Purpose Driver3 package options ? IFF, Mode-S, DME, TACAN, TCAS avionics applicationsAll gold metallization and eutectic die attach for highest reliability50? in/out lumped element very small footprint plug & play pallets available

簡(jiǎn)介

0912GN-15EP屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由制造生產(chǎn)的0912GN-15EP晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    0912GN-15EP

  • 制造商:

    Microchip Technology

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 系列:

    EP

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 頻率:

    960MHz ~ 1.215GHz

  • 增益:

    18.1dB

  • 功率 - 輸出:

    19W

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 描述:

    PALLET, GAN, 960-1215 MHZ, 15W,

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
MOLEX/莫仕
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原廠授權(quán)代理,海外優(yōu)勢(shì)訂貨渠道。可提供大量庫(kù)存,詳
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只做原裝只有原裝現(xiàn)貨實(shí)報(bào)
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一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
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