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型號：BC857BQA；Package：SOT1215；45 V, 100 mA PNP general-purpose transistors

Featuresandbenefits ?General-purposetransistors ?Threecurrentgainselections ?Lowpackageheightof0.37mm ?SuitableforAutomaticOpticalInspection(AOI)ofsolderjoint ?AEC-Q101qualified

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

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型號：BC857BQA；Package：DFN1010D-3；45 V, 100 mA PNP general-purpose transistors

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型號：PDTC144EMB；Package：DFN1006B-3；NPN resistor-equipped transistor; R1 = 47 k廓, R2 = 47 k廓

Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallSOT883BSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA144EMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■Reducespick

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00111101

型號：PDTC144TMB；Package：DFN1006B-3；NPN resistor-equipped transistor; R1 = 47 k廓, R2 = open

Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA144TMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■

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型號：PDTC144VMB；Package：DFN1006B-3；NPN resistor-equipped transistor; R1 = 47 k廓, R2 = 10 k廓

Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA144VMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■

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型號：PDTC144WMB；Package：DFN1006B-3；NPN resistor-equipped transistor; R1 = 47 k廓, R2 = 22 k廓

Generaldescription NPNResistor-EquippedTransistor(RET)inaleadlessultrasmallDFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PDTA144WMB. Featuresandbenefits ■100mAoutputcurrentcapability ■Reducescomponentcount ■Built-inbiasresistors ■

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